alternative text

图像仅供参考,请参阅产品规格书

  • https://www.hqchip.com/Public/img/nob.png

MOSFETs HXY HSCT055W65G34AG

  • 品       牌:HXY(华轩阳)
  • 型       号: HSCT055W65G34AG
    点击复制
  • 商品编号: G50838550
    点击复制
  • 封装规格: TO247-4L
    点击复制
  • 商品描述: 这款N沟道碳化硅场效应管(MOSFET)的最大漏极电流为29A,能够承受高达650V的漏源电压,适用于需要处理高电压的应用场合。其导通电阻仅为60mΩ,有助于降低功耗并提高系统效率。栅源电压范围为-15V至+15V,确保了广泛的驱动兼容性。此MOSFET适合用于要求高效能、低能耗及稳定性的电源管理、逆变器以及其他高压电子设备中。

  • 商品详情
  • 技术文档
  • 相关问答
热销型号1 / 3

替代参考( 推荐替代型号供参考,请核对商品参数后再下单 )

图片 型号/品牌 描述 技术文档 库存 参考价格 对比 操作
型号:HSCT055W65G34AG
MOSFETs
MOSFETs HXY HSCT055W65G34AG
数据手册 (起订)
---
当前型号询价
  • 型号推荐
  • 最新产品推荐
  • 品牌分类

HSCT055W65G34AGHXY 设计生产,在 华秋商城 现货销售,并且可以通过 等渠道进行代购。 HSCT055W65G34AG 价格参考¥ 。 HXY HSCT055W65G34AG 封装/规格: TO247-4L, 这款N沟道碳化硅场效应管(MOSFET)的最大漏极电流为29A,能够承受高达650V的漏源电压,适用于需要处理高电压的应用场合。其导通电阻仅为60mΩ,有助于降低功耗并提高系统效率。栅源电压范围为-15V至+15V,确保了广泛的驱动兼容性。此MOSFET适合用于要求高效能、低能耗及稳定性的电源管理、逆变器以及其他高压电子设备中。。你可以下载 HSCT055W65G34AG 中文资料、引脚图、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有 MOSFETs 详细引脚图及功能的应用电路图电压和使用方法及教程



手机版: HSCT055W65G34AG

Copyright ©2012-2025 hqchip.com.All Rights Reserved 粤ICP备14022951号工商网监认证 工商网监 营业执照