• 品       牌：HXY(华轩阳)
• 型       号： HS2M0016120D
  点击复制
• 商品编号： G50838549
  点击复制
• 封装规格： TO247-3L
  点击复制
• 商品描述： 这款碳化硅场效应管（MOSFET）拥有115A的连续漏极电流（ID），1200V的断态漏源电压（VDSS），导通电阻（RDON）低至16毫欧，支持15V的栅源电压（VGS），采用N沟道设计。其卓越的电气性能使其成为高效电源转换、精密电子设备及可再生能源系统中逆变器的理想选择，尤其适用于需要高效率、低损耗的电路设计场景。 这款碳化硅场效应管（MOSFET）拥有115A的连续漏极电流（ID），1200V的断态漏源电压（VDSS），导通电阻（RDON）低至16毫欧，支持15V的栅源电压（VGS），采用N沟道设计。其卓越的电气性能使其成为高效电源转换、精密电子设备及可再生能源系统中逆变器的理想选择，尤其适用于需要高效率、低损耗的电路设计场景。