• 品       牌：HXY(华轩阳)
• 型       号： HNTH4L040N120SC1
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• 商品编号： G50838545
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• 封装规格： TO247-4L
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• 商品描述： 此款N沟道碳化硅场效应管（MOSFET）具有78A的导通电流（ID），并能在断态下承受高达1200V的电压（VDSS）。其低导通电阻（RDSON）为40毫欧，有助于减少电力损耗，提升转换效率。器件设计需18V的栅源电压（VGS）来触发，适用于高频开关电源、电力调节模块等高效能应用领域，有效支持精密电力控制需求。 此款N沟道碳化硅场效应管（MOSFET）具有78A的导通电流（ID），并能在断态下承受高达1200V的电压（VDSS）。其低导通电阻（RDSON）为40毫欧，有助于减少电力损耗，提升转换效率。器件设计需18V的栅源电压（VGS）来触发，适用于高频开关电源、电力调节模块等高效能应用领域，有效支持精密电力控制需求。