• 品       牌：HXY(华轩阳)
• 型       号： HFFSD0665B
  点击复制
• 商品编号： G50838519
  点击复制
• 封装规格： TO-252-2(DPAK)
  点击复制
• 商品描述： 这款碳化硅二极管具有6安培的最大正向电流（IF/A）和650伏特的反向击穿电压（VR/V），能够在高压环境下稳定工作。其正向电压降（VF/V）仅为1.3伏特，在大电流通过时能保持较低的能量损耗。此外，该二极管拥有微安级别的反向漏电流（IR/uA：50），表明其在阻断状态下的电流泄露极小。瞬态条件下，峰值正向浪涌电流（IFSM/A）可达48安培，适用于需要处理瞬时高电流的应用场合。此元件适用于需要高效能与可靠性的电路设计中，尤其适合高频开关及电源管理领域。 这款碳化硅二极管具有6安培的最大正向电流（IF/A）和650伏特的反向击穿电压（VR/V），能够在高压环境下稳定工作。其正向电压降（VF/V）仅为1.3伏特，在大电流通过时能保持较低的能量损耗。此外，该二极管拥有微安级别的反向漏电流（IR/uA：50），表明其在阻断状态下的电流泄露极小。瞬态条件下，峰值正向浪涌电流（IFSM/A）可达48安培，适用于需要处理瞬时高电流的应用场合。此元件适用于需要高效能与可靠性的电路设计中，尤其适合高频开关及电源管理领域。