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MOSFETs HUASHUO HSU30N20

品牌：HUASHUO(华朔)
型号： HSU30N20
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商品编号： G50823757
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封装规格： TO252
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商品描述：专有新型沟槽技术 RDS(ON) 典型值 = 43 mΩ（VGS = 10 V）低栅极电荷，可将开关损耗降至最低快速恢复体二极管

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	型号：HSU30N20 品牌：HUASHUO(华朔)	MOSFETs MOSFETs HUASHUO HSU30N20 MOSFETs HUASHUO HSU30N20	数据手册	（起订）	---	当前型号	询价

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HSU30N20 由 HUASHUO 设计生产,在华秋商城现货销售,并且可以通过等渠道进行代购。 HSU30N20 价格参考￥。 HUASHUO HSU30N20 封装/规格： TO252, 专有新型沟槽技术 RDS(ON) 典型值 = 43 mΩ（VGS = 10 V）低栅极电荷，可将开关损耗降至最低快速恢复体二极管。你可以下载 HSU30N20 中文资料、引脚图、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有 MOSFETs 详细引脚图及功能的应用电路图电压和使用方法及教程

手机版： HSU30N20

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MOSFETs HUASHUO HSU30N20

品牌：HUASHUO(华朔)
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商品描述：专有新型沟槽技术 RDS(ON) 典型值 = 43 mΩ（VGS = 10 V）低栅极电荷，可将开关损耗降至最低快速恢复体二极管

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