LGE3M650170B 由 LGE 设计生产,在 华秋商城 现货销售,并且可以通过 等渠道进行代购。 LGE3M650170B 价格参考¥ 。 LGE LGE3M650170B 封装/规格: TO247-3, 商品目录 碳化硅MOS管 ;漏源电压(VDS)1700 V;漏极电流 (ID@25℃)7.0A;RDS(ON)650mΩ;耗散功率(PD)62W。你可以下载 LGE3M650170B 中文资料、引脚图、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有 MOSFETs 详细引脚图及功能的应用电路图电压和使用方法及教程
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