• 品       牌：HXY(华轩阳)
• 型       号： HC3M0021120D
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• 商品编号： G50803908
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• 封装规格： TO-247
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• 商品描述： 这款碳化硅场效应管（MOSFET），型号ID为81A，具备1200伏特的最大漏源电压（VDSS），能够在高压环境下稳定工作。其N沟道设计允许电流从漏极流向源极，适用于需要高效能转换的应用。此MOSFET的导通电阻（RDON）仅为21毫欧姆，在导通状态下损耗低，有助于提高系统效率。适用于要求严苛的电源管理领域，如高性能电源转换器、太阳能逆变器以及其他需要高频率操作和低热耗散的设计中。 这款碳化硅场效应管（MOSFET），型号ID为81A，具备1200伏特的最大漏源电压（VDSS），能够在高压环境下稳定工作。其N沟道设计允许电流从漏极流向源极，适用于需要高效能转换的应用。此MOSFET的导通电阻（RDON）仅为21毫欧姆，在导通状态下损耗低，有助于提高系统效率。适用于要求严苛的电源管理领域，如高性能电源转换器、太阳能逆变器以及其他需要高频率操作和低热耗散的设计中。