• 品       牌：HXY(华轩阳)
• 型       号： HC1M40120D
  点击复制
• 商品编号： G50803906
  点击复制
• 封装规格： TO-247
  点击复制
• 商品描述： 这款碳化硅场效应管（MOSFET），型号ID:68A，具有1200V的VDSS（漏源电压），适用于高压环境下的电路设计。作为一款N沟道MOSFET，其RDON（导通电阻）仅为40毫欧姆，这意味着在导通状态下的电力损耗极低，能够显著提升系统的整体效率。该MOSFET适合应用于要求高效率与可靠性的电源转换设备中，比如高性能的电源供应单元、便携式电子设备的充电解决方案等，特别是在需要高频操作与优异热性能的场合下表现突出。 这款碳化硅场效应管（MOSFET），型号ID:68A，具有1200V的VDSS（漏源电压），适用于高压环境下的电路设计。作为一款N沟道MOSFET，其RDON（导通电阻）仅为40毫欧姆，这意味着在导通状态下的电力损耗极低，能够显著提升系统的整体效率。该MOSFET适合应用于要求高效率与可靠性的电源转换设备中，比如高性能的电源供应单元、便携式电子设备的充电解决方案等，特别是在需要高频操作与优异热性能的场合下表现突出。