• 品       牌：HXY(华轩阳)
• 型       号： HC1M320120D
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• 商品编号： G50803905
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• 封装规格： TO247-4L
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• 商品描述： 该款碳化硅场效应管（MOSFET），标识为ID:7A，拥有1200V的漏源击穿电压（VDSS），确保了在高压应用中的可靠性。作为一款N沟道器件，它具备320毫欧姆的导通电阻（RDON），能够在导通状态下有效减少能量损失。这种特性使其成为需要高压及高效能解决方案应用的理想选择，例如在精密电源管理系统、高速开关电源以及对功率密度有较高要求的场合中发挥关键作用。 该款碳化硅场效应管（MOSFET），标识为ID:7A，拥有1200V的漏源击穿电压（VDSS），确保了在高压应用中的可靠性。作为一款N沟道器件，它具备320毫欧姆的导通电阻（RDON），能够在导通状态下有效减少能量损失。这种特性使其成为需要高压及高效能解决方案应用的理想选择，例如在精密电源管理系统、高速开关电源以及对功率密度有较高要求的场合中发挥关键作用。