• 品       牌：HXY(华轩阳)
• 型       号： HC1M45065J
  点击复制
• 商品编号： G50803903
  点击复制
• 封装规格： TO247-4L
  点击复制
• 商品描述： 这款N沟道碳化硅场效应管（MOSFET）具有49A的连续排水电流（ID），并且能够承受最高650V的漏源电压（VDSS）。其导通电阻（RDSON）仅为45毫欧，这意味着在导通状态下电力损耗极低。该器件适合应用于要求高效能和低热量产生的电子设计中，例如在精密电源管理系统、高速数字电路以及需要快速开关特性的设备中，都能发挥其优异的性能表现。 这款N沟道碳化硅场效应管（MOSFET）具有49A的连续排水电流（ID），并且能够承受最高650V的漏源电压（VDSS）。其导通电阻（RDSON）仅为45毫欧，这意味着在导通状态下电力损耗极低。该器件适合应用于要求高效能和低热量产生的电子设计中，例如在精密电源管理系统、高速数字电路以及需要快速开关特性的设备中，都能发挥其优异的性能表现。