• 品       牌：HXY(华轩阳)
• 型       号： HC3M0120090D
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• 商品编号： G50803902
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• 封装规格： TO-247
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• 商品描述： 这款碳化硅场效应管（MOSFET）是一款N沟道器件，具有22A的连续电流承载能力（ID），最大漏源电压（VDSS）可达900V，导通电阻（RDON）仅为120毫欧。这些特性使得它非常适合用于要求高效率与高频率操作的应用中。其低导通电阻有助于减少导通状态下的损耗，而高的击穿电压则确保了在高压环境下的稳定性和可靠性。适用于设计需要紧凑型高性能电力转换解决方案的场合。 这款碳化硅场效应管（MOSFET）是一款N沟道器件，具有22A的连续电流承载能力（ID），最大漏源电压（VDSS）可达900V，导通电阻（RDON）仅为120毫欧。这些特性使得它非常适合用于要求高效率与高频率操作的应用中。其低导通电阻有助于减少导通状态下的损耗，而高的击穿电压则确保了在高压环境下的稳定性和可靠性。适用于设计需要紧凑型高性能电力转换解决方案的场合。