• 品       牌：ETRON(钰创)
• 型       号： EM639325TS-6G
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• 商品编号： G50791229
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• 封装规格： TSOPII-86
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• 商品描述： EM639325 SDRAM是一种高速CMOS同步DRAM，包含128兆位。它内部配置为四路1M x 32 DRAM，具有同步接口（所有信号在时钟信号CLK的上升沿上寄存）。每个1M x 32位存储器组被组织为4096行 x 256列 x 32位。对SDRAM的读写访问是突发定向的；访问从选定的位置开始，并以编程的顺序继续访问编程数量的位置。访问从注册一个BankActivate命令开始，然后是读或写命令。EM639325提供可编程的读或写突发长度为1、2、4、8或整页，并具有突发终止选项。可以启用自动预充电功能，以提供在突发序列结束时启动的自定时间行预充电。刷新功能，无论是自动刷新还是自刷新，都易于使用。通过使用可编程模式寄存器，系统可以选择最合适的模式以最大化其性能。这些设备非常适合需要高内存带宽的应用。 EM639325 SDRAM是一种高速CMOS同步DRAM，包含128兆位。它内部配置为四路1M x 32 DRAM，具有同步接口（所有信号在时钟信号CLK的上升沿上寄存）。每个1M x 32位存储器组被组织为4096行 x 256列 x 32位。对SDRAM的读写访问是突发定向的；访问从选定的位置开始，并以编程的顺序继续访问编程数量的位置。访问从注册一个BankActivate命令开始，然后是读或写命令。EM639325提供可编程的读或写突发长度为1、2、4、8或整页，并具有突发终止选项。可以启用自动预充电功能，以提供在突发序列结束时启动的自定时间行预充电。刷新功能，无论是自动刷新还是自刷新，都易于使用。通过使用可编程模式寄存器，系统可以选择最合适的模式以最大化其性能。这些设备非常适合需要高内存带宽的应用。