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MOSFETs LGE 2N7002DW
- 品 牌：LGE(鲁光)
- 型 号： 2N7002DW
点击复制 - 商品编号： G50457503
点击复制 - 封装规格： SOT-363
点击复制 - 商品描述： 商品目录 场效应管(MOSFET)；类型 1个N沟道；漏源电压(Vdss) 60V；连续漏极电流(Id) 115mA；功率(Pd) 380mW；导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) 7.5Ω@10V,500mA；阈值电压(Vgs(th)@Id) 2V@250uA
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2N7002DW 由 LGE 设计生产,在 华秋商城 现货销售,并且可以通过 等渠道进行代购。 2N7002DW 价格参考￥ 。 LGE 2N7002DW 封装/规格： SOT-363, 商品目录 场效应管(MOSFET)；类型 1个N沟道；漏源电压(Vdss) 60V；连续漏极电流(Id) 115mA；功率(Pd) 380mW；导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) 7.5Ω@10V,500mA；阈值电压(Vgs(th)@Id) 2V@250uA。你可以下载 2N7002DW 中文资料、引脚图、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有 MOSFETs 详细引脚图及功能的应用电路图电压和使用方法及教程
手机版： 2N7002DW
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