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SRAM存储器 ISSI IS43LR16128B-6BLI-TR

  • 品       牌:ISSI(芯成半导体)
  • 型       号: IS43LR16128B-6BLI-TR
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  • 商品编号: G50338873
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  • 封装规格: TFBGA60_10X8MM
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  • 商品描述: IS43/46LR16128B/32640B 是 2,147,483,648 位 CMOS 移动双倍数据速率同步 DRAM,组织为 4 个 128 兆字的 16 位或 64 兆字的 32 位bank。该产品使用双数据率架构实现高速操作,数据输入/输出信号在 16 位或 32 位总线上传输。双数据率架构本质上是一个 2V 预取架构,参考时钟的上升沿和下降沿。数据路径内部流水线化,2n 位预取以实现非常高的带宽。所有输入和输出电压电平与 LVCMOS 兼容。

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型号:IS43LR16128B-6BLI-TR
SRAM存储器
SRAM存储器 ISSI IS43LR16128B-6BLI-TR
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IS43LR16128B-6BLI-TRISSI 设计生产,在 华秋商城 现货销售,并且可以通过 等渠道进行代购。 IS43LR16128B-6BLI-TR 价格参考¥ 。 ISSI IS43LR16128B-6BLI-TR 封装/规格: TFBGA60_10X8MM, IS43/46LR16128B/32640B 是 2,147,483,648 位 CMOS 移动双倍数据速率同步 DRAM,组织为 4 个 128 兆字的 16 位或 64 兆字的 32 位bank。该产品使用双数据率架构实现高速操作,数据输入/输出信号在 16 位或 32 位总线上传输。双数据率架构本质上是一个 2V 预取架构,参考时钟的上升沿和下降沿。数据路径内部流水线化,2n 位预取以实现非常高的带宽。所有输入和输出电压电平与 LVCMOS 兼容。。你可以下载 IS43LR16128B-6BLI-TR 中文资料、引脚图、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有 SRAM存储器 详细引脚图及功能的应用电路图电压和使用方法及教程



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