• 品       牌：ISSI(芯成半导体)
• 型       号： IS43TR16512S2DL-107MBLI-TR
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• 商品编号： G50338871
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• 封装规格： LWBGA96_13X9MM
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• 商品描述： 512Mx16 8Gb DDR3 SDRAM，支持标准电压1.5V和低电压1.35V，刷新间隔为7.8us（8192周期/64ms）在-40°C到85°C范围内，高速数据传输速率高达933MHz，8个内部bank支持并发操作，异步复位引脚，8位预取架构，支持可编程CAS延迟，动态ODT，可编程附加延迟0, CL-1, CL-2，支持写入均衡，可编程突发长度4和8，支持突发截断。 512Mx16 8Gb DDR3 SDRAM，支持标准电压1.5V和低电压1.35V，刷新间隔为7.8us（8192周期/64ms）在-40°C到85°C范围内，高速数据传输速率高达933MHz，8个内部bank支持并发操作，异步复位引脚，8位预取架构，支持可编程CAS延迟，动态ODT，可编程附加延迟0, CL-1, CL-2，支持写入均衡，可编程突发长度4和8，支持突发截断。