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MOSFETs HXY NVD5863NL-HXY
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产品分类 | ||
封装/外壳 | TO-252(DPAK) | |
漏源电压(Vdss) | 60V | |
连续漏极电流 | 80A | |
类型 | 1个N沟道 | |
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商品介绍
NVD5863NL 是一款高性能N沟道MOSFET，采用散热良好的TO-252-2L封装，专为处理大电流设计。此器件具有60V的高耐压VDSS，可承受高达80A的连续电流ID，体现出其出色的功率处理能力。其导通电阻RD(on)低至6mΩ，极大程度地减少了电能损耗，提升了整体能效。
标准包装
标准包装是从制造商/代理商处获得的最小包装规格。所以最小订货量可能会小于制造商的标准包装的数量。当产品分解成较小数量时，包装类型（即卷、管、盘）可能会发生变化，以实际包装交货为准。
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NVD5863NL-HXY 由 HXY 设计生产,在 华秋商城 现货销售,并且可以通过 等渠道进行代购。 NVD5863NL-HXY 价格参考￥ 。 HXY NVD5863NL-HXY 封装/规格： TO-252(DPAK), NVD5863NL 是一款高性能N沟道MOSFET，采用散热良好的TO-252-2L封装，专为处理大电流设计。此器件具有60V的高耐压VDSS，可承受高达80A的连续电流ID，体现出其出色的功率处理能力。其导通电阻RD(on)低至6mΩ，极大程度地减少了电能损耗，提升了整体能效。。你可以下载 NVD5863NL-HXY 中文资料、引脚图、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有 MOSFETs 详细引脚图及功能的应用电路图电压和使用方法及教程
手机版： NVD5863NL-HXY
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