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MOSFETs HXY IPD042P03L3G-HXY
- 品 牌：HXY(华轩阳)
- 型 号： IPD042P03L3G-HXY
点击复制 - 商品编号： DS39730388
点击复制 - 封装规格： TO252-2L
点击复制 - 商品描述： IPD042P03L3G 是一款高性能P沟道MOSFET，采用散热良好的TO-252-2L封装，专为大电流应用设计。器件提供30V的额定电压VDSS，可承载高达120A的连续电流ID，彰显其卓越的电力处理能力。其独特的3.7mΩ导通电阻RD(on)设计，确保了在高电流下仍能维持极低功耗，提升系统效率。广泛应用于电源转换、电池管理系统以及大电流负载开关等场景，是您实现高功率、高效能半导体解决方案的理想选择。
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IPD042P03L3G-HXY 由 HXY 设计生产,在 华秋商城 现货销售,并且可以通过 等渠道进行代购。 IPD042P03L3G-HXY 价格参考￥ 。 HXY IPD042P03L3G-HXY 封装/规格： TO252-2L, IPD042P03L3G 是一款高性能P沟道MOSFET，采用散热良好的TO-252-2L封装，专为大电流应用设计。器件提供30V的额定电压VDSS，可承载高达120A的连续电流ID，彰显其卓越的电力处理能力。其独特的3.7mΩ导通电阻RD(on)设计，确保了在高电流下仍能维持极低功耗，提升系统效率。广泛应用于电源转换、电池管理系统以及大电流负载开关等场景，是您实现高功率、高效能半导体解决方案的理想选择。。你可以下载 IPD042P03L3G-HXY 中文资料、引脚图、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有 MOSFETs 详细引脚图及功能的应用电路图电压和使用方法及教程
手机版： IPD042P03L3G-HXY
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