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MOSFETs HXY IPD80P03P4L-07-HXY
- 品 牌：HXY(华轩阳)
- 型 号： IPD80P03P4L-07-HXY
点击复制 - 商品编号： DS39730378
点击复制 - 封装规格： TO252-2L
点击复制 - 商品描述： IPD80P03P4L-07 P沟道MOS管采用TO-252-2L封装，具有优秀的散热性能和高可靠性。该器件工作电压VDSS高达30V，可持续提供70A的漏极电流ID，满足大电流应用需求。其亮点在于仅8mΩ的导通电阻RD(on)，有效减少功率损耗，提升系统效率。这款MOS管广泛应用于电源转换、电机驱动、电池管理系统等领域，是针对高功率密度和低电阻应用的理想半导体解决方案。
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IPD80P03P4L-07-HXY 由 HXY 设计生产,在 华秋商城 现货销售,并且可以通过 等渠道进行代购。 IPD80P03P4L-07-HXY 价格参考￥ 。 HXY IPD80P03P4L-07-HXY 封装/规格： TO252-2L, IPD80P03P4L-07 P沟道MOS管采用TO-252-2L封装，具有优秀的散热性能和高可靠性。该器件工作电压VDSS高达30V，可持续提供70A的漏极电流ID，满足大电流应用需求。其亮点在于仅8mΩ的导通电阻RD(on)，有效减少功率损耗，提升系统效率。这款MOS管广泛应用于电源转换、电机驱动、电池管理系统等领域，是针对高功率密度和低电阻应用的理想半导体解决方案。。你可以下载 IPD80P03P4L-07-HXY 中文资料、引脚图、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有 MOSFETs 详细引脚图及功能的应用电路图电压和使用方法及教程
手机版： IPD80P03P4L-07-HXY
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