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MOSFETs HXY IPP200N15N3G-HXY
- 品 牌：HXY(华轩阳)
- 型 号： IPP200N15N3G-HXY
点击复制 - 商品编号： DS39730346
点击复制 - 封装规格： TO-220
点击复制 - 商品描述： IPP200N15N3G 是一款高性能N沟道MOSFET，采用经典的TO-220封装，适用于高功率电子设备。其关键特性包括最大漏源电压VDSS高达150V，能承载强劲的120A连续漏极电流，而导通电阻RD(on)仅为9.5mR，确保在大电流操作时也能保持极低的功率损耗和高效能表现。此款MOS管广泛应用于电源转换、电机驱动、电池管理系统等高电流开关应用领域。
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IPP200N15N3G-HXY 由 HXY 设计生产,在 华秋商城 现货销售,并且可以通过 等渠道进行代购。 IPP200N15N3G-HXY 价格参考￥ 。 HXY IPP200N15N3G-HXY 封装/规格： TO-220, IPP200N15N3G 是一款高性能N沟道MOSFET，采用经典的TO-220封装，适用于高功率电子设备。其关键特性包括最大漏源电压VDSS高达150V，能承载强劲的120A连续漏极电流，而导通电阻RD(on)仅为9.5mR，确保在大电流操作时也能保持极低的功率损耗和高效能表现。此款MOS管广泛应用于电源转换、电机驱动、电池管理系统等高电流开关应用领域。。你可以下载 IPP200N15N3G-HXY 中文资料、引脚图、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有 MOSFETs 详细引脚图及功能的应用电路图电压和使用方法及教程
手机版： IPP200N15N3G-HXY
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