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MOSFETs HXY 1个N沟道 耐压:650V 电流:4A
- 品 牌：HXY(华轩阳)
- 型 号： 1个N沟道 耐压:650V 电流:4A
点击复制 - 商品编号： G14507624
点击复制 - 封装规格： TO-220F
点击复制 - 商品描述： 高效能1N沟道MOSFET，专为高电压低功耗应用设计。这款半导体器件耐压高达650V，能承受连续4A漏极电流，是理想的选择。导通电阻仅为2.22Ω，确保了卓越的电能转换效率与温度控制。适用于各类精密电路、电源管理及高效能电子设备，是提升系统效能的优选组件。
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