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MOSFETs AGMSEMI N+P沟道 20V 3.3A/-5.6A 21MΩ/27.5MΩ
- 品 牌：AGMSEMI(芯控源)
- 型 号： N+P沟道 20V 3.3A/-5.6A 21MΩ/27.5MΩ
点击复制 - 商品编号： G14503752
点击复制 - 封装规格： SOT-23-6L
点击复制 - 商品描述： 类型：一个N沟道一个P沟道 漏源电压(Vdss)：20V 连续漏极电流(Id)：3.3A/-5.6A 功率(Pd)：1.25W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：21mΩ@4.5V,5A;27.5mΩ@-4.5V,-4A 栅极电荷(Qg@Vgs)：5.5nC@4.5V;10nC@-10V 输入电容(Ciss@Vds)：0.355nF@10V;0.671nF@-10V 工作温度：-55℃~+150℃@(Tj)
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N+P沟道 20V 3.3A/-5.6A 21MΩ/27.5MΩ 由 AGMSEMI 设计生产,在 华秋商城 现货销售,并且可以通过 等渠道进行代购。 N+P沟道 20V 3.3A/-5.6A 21MΩ/27.5MΩ 价格参考￥ 。 AGMSEMI N+P沟道 20V 3.3A/-5.6A 21MΩ/27.5MΩ 封装/规格： SOT-23-6L, 类型：一个N沟道一个P沟道 漏源电压(Vdss)：20V 连续漏极电流(Id)：3.3A/-5.6A 功率(Pd)：1.25W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：21mΩ@4.5V,5A;27.5mΩ@-4.5V,-4A 栅极电荷(Qg@Vgs)：5.5nC@4.5V;10nC@-10V 输入电容(Ciss@Vds)：0.355nF@10V;0.671nF@-10V 工作温度：-55℃~+150℃@(Tj)。你可以下载 N+P沟道 20V 3.3A/-5.6A 21MΩ/27.5MΩ 中文资料、引脚图、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有 MOSFETs 详细引脚图及功能的应用电路图电压和使用方法及教程
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