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MOSFETs AGMSEMI N沟道 60V 20A 31MΩ
- 品 牌：AGMSEMI(芯控源)
- 型 号： N沟道 60V 20A 31MΩ
点击复制 - 商品编号： G14503754
点击复制 - 封装规格： TO-252
点击复制 - 商品描述： 类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：60V 连续漏极电流(Id)：20A 功率(Pd)：40W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：31mΩ@10V,15A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：1.7V@250uA栅极电荷(Qg@Vgs)：24nC@10V 输入电容(Ciss@Vds)：1.010nF@30V ,Vds=60V Id=20A Rds=31mΩ,工作温度：-55℃~+175℃@(Tj)
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N沟道 60V 20A 31MΩ 由 AGMSEMI 设计生产,在 华秋商城 现货销售,并且可以通过 等渠道进行代购。 N沟道 60V 20A 31MΩ 价格参考￥ 。 AGMSEMI N沟道 60V 20A 31MΩ 封装/规格： TO-252, 类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：60V 连续漏极电流(Id)：20A 功率(Pd)：40W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：31mΩ@10V,15A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：1.7V@250uA栅极电荷(Qg@Vgs)：24nC@10V 输入电容(Ciss@Vds)：1.010nF@30V ,Vds=60V Id=20A Rds=31mΩ,工作温度：-55℃~+175℃@(Tj)。你可以下载 N沟道 60V 20A 31MΩ 中文资料、引脚图、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有 MOSFETs 详细引脚图及功能的应用电路图电压和使用方法及教程
手机版： N沟道 60V 20A 31MΩ
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