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MOSFETs AGMSEMI N+N沟道 100V 20A 26MΩ
- 品 牌：AGMSEMI(芯控源)
- 型 号： N+N沟道 100V 20A 26MΩ
点击复制 - 商品编号： G14507976
点击复制 - 封装规格： PDFN-8(3.3x3.3)
点击复制 - 商品描述： 类型：双N沟道 漏源电压(Vdss)：100V 连续漏极电流(Id)：20A 功率(Pd)：50W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：26mΩ@10V,10A 栅极电荷(Qg@Vgs)：8.07nC@10V 输入电容(Ciss@Vds)：0.445nF@50V ,Vds=100V Id=20A Rds=26mΩ,工作温度：-55℃~+150℃@(Tj)
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手机版： N+N沟道 100V 20A 26MΩ
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