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MOSFETs AGMSEMI N沟道 60V 80A 5.4MΩ
- 品 牌：AGMSEMI(芯控源)
- 型 号： N沟道 60V 80A 5.4MΩ
点击复制 - 商品编号： G14507977
点击复制 - 封装规格： TO-263
点击复制 - 商品描述： 类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：60V连续漏极电流（Id）：80A功率(Pd）：83W导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id：5.4mΩ@10V,20A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：2.7V@250uA 栅极电荷（Qg@Vgs）76nC@10V 输入电容(Ciss@Vds)：4.009nF@30V ,Vds=60v Id=80A Rds=5.4mΩ ，工作温度：-55℃~+150℃@(Tj)
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N沟道 60V 80A 5.4MΩ 由 AGMSEMI 设计生产,在 华秋商城 现货销售,并且可以通过 等渠道进行代购。 N沟道 60V 80A 5.4MΩ 价格参考￥ 。 AGMSEMI N沟道 60V 80A 5.4MΩ 封装/规格： TO-263, 类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：60V连续漏极电流（Id）：80A功率(Pd）：83W导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id：5.4mΩ@10V,20A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：2.7V@250uA 栅极电荷（Qg@Vgs）76nC@10V 输入电容(Ciss@Vds)：4.009nF@30V ,Vds=60v Id=80A Rds=5.4mΩ ，工作温度：-55℃~+150℃@(Tj)。你可以下载 N沟道 60V 80A 5.4MΩ 中文资料、引脚图、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有 MOSFETs 详细引脚图及功能的应用电路图电压和使用方法及教程
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