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MOSFETs AGMSEMI N+P沟道 20V 20A/-19A 16MΩ/24MΩ
- 品 牌：AGMSEMI(芯控源)
- 型 号： N+P沟道 20V 20A/-19A 16MΩ/24MΩ
点击复制 - 商品编号： G14507979
点击复制 - 封装规格： PDFN-8(3.3x3.3)
点击复制 - 商品描述： 类型：一个N沟道一个P沟道 漏源电压(Vdss)：20V 连续漏极电流(Id)：20A/-19A 功率(Pd)：35W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：16mΩ@4.5V,4A;24mΩ@-4.5V,-4A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：0.7V@250uA/-0.7V@250uA; 栅极电荷(Qg@Vgs)：11nC@4.5V;18nC@-10V 输入电容(Ciss@Vds)：0.637nF@10V;0.673nF@-10V 工作温度：-55℃~+150℃@(Tj)
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N+P沟道 20V 20A/-19A 16MΩ/24MΩ 由 AGMSEMI 设计生产,在 华秋商城 现货销售,并且可以通过 等渠道进行代购。 N+P沟道 20V 20A/-19A 16MΩ/24MΩ 价格参考￥ 。 AGMSEMI N+P沟道 20V 20A/-19A 16MΩ/24MΩ 封装/规格： PDFN-8(3.3x3.3), 类型：一个N沟道一个P沟道 漏源电压(Vdss)：20V 连续漏极电流(Id)：20A/-19A 功率(Pd)：35W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：16mΩ@4.5V,4A;24mΩ@-4.5V,-4A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：0.7V@250uA/-0.7V@250uA; 栅极电荷(Qg@Vgs)：11nC@4.5V;18nC@-10V 输入电容(Ciss@Vds)：0.637nF@10V;0.673nF@-10V 工作温度：-55℃~+150℃@(Tj)。你可以下载 N+P沟道 20V 20A/-19A 16MΩ/24MΩ 中文资料、引脚图、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有 MOSFETs 详细引脚图及功能的应用电路图电压和使用方法及教程
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