alternative text

图像仅供参考,请参阅产品规格书

  • https://www.hqchip.com/Public/img/nob.png

MOSFETs HXY FDMS8888-HXY

  • 品       牌:HXY(华轩阳)
  • 型       号: FDMS8888-HXY
    点击复制
  • 商品编号: G12359535
    点击复制
  • 封装规格: DFN-8L(5x6)
    点击复制
  • 商品描述: FDMS8888 N沟道MOSFET采用DFN5X6-8L封装,融合小型化设计与高效散热性能,为用户带来卓越使用体验。该器件参数卓越支持最高30V的漏源电压(VDSS),可承载高达50A的连续电流,且具备6.5mΩ的超低导通电阻(RD(on)),确保了高能效转换和低损耗运行。广泛应用于电源转换、电机驱动等大电流领域,是提高系统性能与节能效果的理想半导体器件。

  • 商品详情
  • 技术文档
  • 相关问答
热销型号1 / 3

替代参考( 推荐替代型号供参考,请核对商品参数后再下单 )

图片 型号/品牌 描述 技术文档 库存 参考价格 对比 操作
型号:FDMS8888-HXY
MOSFETs
MOSFETs HXY FDMS8888-HXY
数据手册 (起订)
---
当前型号询价
  • 型号推荐
  • 最新产品推荐
  • 品牌分类

FDMS8888-HXYHXY 设计生产,在 华秋商城 现货销售,并且可以通过 等渠道进行代购。 FDMS8888-HXY 价格参考¥ 。 HXY FDMS8888-HXY 封装/规格: DFN-8L(5x6), FDMS8888 N沟道MOSFET采用DFN5X6-8L封装,融合小型化设计与高效散热性能,为用户带来卓越使用体验。该器件参数卓越支持最高30V的漏源电压(VDSS),可承载高达50A的连续电流,且具备6.5mΩ的超低导通电阻(RD(on)),确保了高能效转换和低损耗运行。广泛应用于电源转换、电机驱动等大电流领域,是提高系统性能与节能效果的理想半导体器件。。你可以下载 FDMS8888-HXY 中文资料、引脚图、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有 MOSFETs 详细引脚图及功能的应用电路图电压和使用方法及教程



手机版: FDMS8888-HXY

Copyright ©2012-2025 hqchip.com.All Rights Reserved 粤ICP备14022951号工商网监认证 工商网监 营业执照