• 品       牌：HXY(华轩阳)
• 型       号： BSO150N03MDG-HXY
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• 商品编号： G12359472
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• 封装规格： SOP-8
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• 商品描述： BSO150N03MDG 是一款高性能N+N沟道MOSFET，采用紧凑型SOP-8封装，专为高集成度和节能应用设计。其主要规格包括VDSS耐压高达30V，可稳定承载11.5A的连续漏极电流，彰显出卓越的电力处理性能。尤其突出的是，器件具有极低的导通电阻RD(on)仅为10mR，大大减少了能量损耗，提高了整体能效。BSO150N03MDG MOS管以出色的开关速度、低功耗及高稳定性等特性，广泛应用于电源转换、电机驱动、消费电子等领域，是您追求高效能方案的理想半导体组件选择。 BSO150N03MDG 是一款高性能N+N沟道MOSFET，采用紧凑型SOP-8封装，专为高集成度和节能应用设计。其主要规格包括VDSS耐压高达30V，可稳定承载11.5A的连续漏极电流，彰显出卓越的电力处理性能。尤其突出的是，器件具有极低的导通电阻RD(on)仅为10mR，大大减少了能量损耗，提高了整体能效。BSO150N03MDG MOS管以出色的开关速度、低功耗及高稳定性等特性，广泛应用于电源转换、电机驱动、消费电子等领域，是您追求高效能方案的理想半导体组件选择。