AGM216MNE 由 AGMSEMI 设计生产,在 华秋商城 现货销售,并且可以通过 等渠道进行代购。 AGM216MNE 价格参考¥ 。 AGMSEMI AGM216MNE 封装/规格: SOT-23-6L, 类型:双N沟道 漏源电压(Vdss):20V 连续漏极电流(Id):3.3A 功率(Pd):1.25W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):21mΩ@4.5V,5A 阈值电压(Vgs(th)@Id):0.7V@250uA 栅极电荷(Qg@Vgs):5.4nC@4.5V 输入电容(Ciss@Vds):0.356nF@10V ,Vds=20V Id=3.3A Rds=21mΩ,工作温度:-55℃~+150℃@(Tj)。你可以下载 AGM216MNE 中文资料、引脚图、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有 MOSFETs 详细引脚图及功能的应用电路图电压和使用方法及教程
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