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MOSFETs HXY BSC030P03NS3G-HXY

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品牌：HXY(华轩阳)
型号：BSC030P03NS3G-HXY
商品编号：DS39728733
封装规格：DFN-8L(5x6)
商品描述： BSC030P03NS3G P沟道MOSFET采用先进的DFN5X6-8L封装，实现小体积与高效散热的完美融合。该器件规格出众具备30V的最大漏源电压(VDSS)，能够处理高达110A的连续大电流，而3mΩ的超低导通电阻(RD(on))使其在运行过程中表现出色，大大提升了系统能效，降低损耗。广泛适用于电源转换、电机驱动等高功率应用场景，是追求高效、节能方案的理想半导体器件选择。
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	型号：BSC030P03NS3G-HXY 品牌：HXY(华轩阳)	MOSFETs MOSFETs HXY BSC030P03NS3G-HXY MOSFETs HXY BSC030P03NS3G-HXY	数据手册	（起订）	---	当前型号	询价

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BSC030P03NS3G-HXY 由 HXY 设计生产,在华秋商城现货销售,并且可以通过等渠道进行代购。 BSC030P03NS3G-HXY 价格参考￥。 HXY BSC030P03NS3G-HXY 封装/规格： DFN-8L(5x6), BSC030P03NS3G P沟道MOSFET采用先进的DFN5X6-8L封装，实现小体积与高效散热的完美融合。该器件规格出众具备30V的最大漏源电压(VDSS)，能够处理高达110A的连续大电流，而3mΩ的超低导通电阻(RD(on))使其在运行过程中表现出色，大大提升了系统能效，降低损耗。广泛适用于电源转换、电机驱动等高功率应用场景，是追求高效、节能方案的理想半导体器件选择。。你可以下载 BSC030P03NS3G-HXY 中文资料、引脚图、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有 MOSFETs 详细引脚图及功能的应用电路图电压和使用方法及教程

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