图像仅供参考，请参阅产品规格书

MOSFETs HXY FDMS6681Z-HXY

交货地：

库存：

数量：

X0（单价）

总价：

品牌：HXY(华轩阳)
型号：FDMS6681Z-HXY
商品编号：DS39728732
封装规格：DFN-8L(5x6)
商品描述： FDMS6681Z P沟道MOSFET采用紧凑型DFN5X6-8L封装，兼具出色散热性能与高集成度。器件特性卓越具备30V的额定漏源电压(VDSS)，可承载高达110A的连续电流，而其优秀的3mΩ导通电阻(RD(on))使得能效显著提升，降低功耗损失。广泛应用于高压大电流领域，如电源转换、电机驱动等，是提升系统性能与节能效果的理想半导体组件。
技术文档
数据手册

商品详情
技术文档
相关问答

热销型号1 / 3

图片	型号/品牌	描述	技术文档	库存	参考价格	对比	操作
	型号：FDMS6681Z-HXY 品牌：HXY(华轩阳)	MOSFETs MOSFETs HXY FDMS6681Z-HXY MOSFETs HXY FDMS6681Z-HXY	数据手册	（起订）	---	当前型号	询价

型号推荐
最新产品推荐
品牌分类

FDMS6681Z-HXY 由 HXY 设计生产,在华秋商城现货销售,并且可以通过等渠道进行代购。 FDMS6681Z-HXY 价格参考￥。 HXY FDMS6681Z-HXY 封装/规格： DFN-8L(5x6), FDMS6681Z P沟道MOSFET采用紧凑型DFN5X6-8L封装，兼具出色散热性能与高集成度。器件特性卓越具备30V的额定漏源电压(VDSS)，可承载高达110A的连续电流，而其优秀的3mΩ导通电阻(RD(on))使得能效显著提升，降低功耗损失。广泛应用于高压大电流领域，如电源转换、电机驱动等，是提升系统性能与节能效果的理想半导体组件。。你可以下载 FDMS6681Z-HXY 中文资料、引脚图、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有 MOSFETs 详细引脚图及功能的应用电路图电压和使用方法及教程

手机版： FDMS6681Z-HXY