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MOSFETs HXY PSMN3R4-30BLE-HXY
- 品 牌：HXY(华轩阳)
- 型 号： PSMN3R4-30BLE-HXY
点击复制 - 商品编号： G12358030
点击复制 - 封装规格： TO-252(DPAK)
点击复制 - 商品描述： PSMN3R4-30BLE N沟道MOS管采用先进的TO-252-2L封装，旨在优化空间利用并提升散热性能。本器件额定漏源电压(VDSS)为30V，最大连续漏极电流(ID)高达120A，可轻松应对大电流应用场景。其独特优势在于极低的导通电阻RD(on)，仅为3mΩ，确保在工作状态下减少能耗，提高整体系统效率。广泛应用于开关电源、马达驱动、LED照明等领域，是高效能、低功耗解决方案的理想之选。
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PSMN3R4-30BLE-HXY 由 HXY 设计生产,在 华秋商城 现货销售,并且可以通过 等渠道进行代购。 PSMN3R4-30BLE-HXY 价格参考￥ 。 HXY PSMN3R4-30BLE-HXY 封装/规格： TO-252(DPAK), PSMN3R4-30BLE N沟道MOS管采用先进的TO-252-2L封装，旨在优化空间利用并提升散热性能。本器件额定漏源电压(VDSS)为30V，最大连续漏极电流(ID)高达120A，可轻松应对大电流应用场景。其独特优势在于极低的导通电阻RD(on)，仅为3mΩ，确保在工作状态下减少能耗，提高整体系统效率。广泛应用于开关电源、马达驱动、LED照明等领域，是高效能、低功耗解决方案的理想之选。。你可以下载 PSMN3R4-30BLE-HXY 中文资料、引脚图、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有 MOSFETs 详细引脚图及功能的应用电路图电压和使用方法及教程
手机版： PSMN3R4-30BLE-HXY
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