alternative text

图像仅供参考,请参阅产品规格书

  • https://www.hqchip.com/Public/img/nob.png

MOSFETs HXY CSD16403Q5A-HXY

  • 品       牌:HXY(华轩阳)
  • 型       号: CSD16403Q5A-HXY
    点击复制
  • 商品编号: G12357779
    点击复制
  • 封装规格: DFN-8L(5x6)
    点击复制
  • 商品描述: CSD16403Q5A N沟道MOS管采用DFN5X6-8L封装,以其紧凑尺寸实现高性能集成。该器件具有30V的最大漏源电压(VDSS),能承载高达150A的连续漏极电流,确保在高电压大电流应用中的稳定运行。其独特的低导通电阻(RD(on))仅为2mΩ,助力降低功耗、提升整体能效,广泛适用于电源转换、电机驱动等高功率场合,是实现高效、节能电路设计的理想选择。

  • 商品详情
  • 技术文档
  • 相关问答
热销型号1 / 3

替代参考( 推荐替代型号供参考,请核对商品参数后再下单 )

图片 型号/品牌 描述 技术文档 库存 参考价格 对比 操作
型号:CSD16403Q5A-HXY
MOSFETs
MOSFETs HXY CSD16403Q5A-HXY
数据手册 (起订)
---
当前型号询价
  • 型号推荐
  • 最新产品推荐
  • 品牌分类

CSD16403Q5A-HXYHXY 设计生产,在 华秋商城 现货销售,并且可以通过 等渠道进行代购。 CSD16403Q5A-HXY 价格参考¥ 。 HXY CSD16403Q5A-HXY 封装/规格: DFN-8L(5x6), CSD16403Q5A N沟道MOS管采用DFN5X6-8L封装,以其紧凑尺寸实现高性能集成。该器件具有30V的最大漏源电压(VDSS),能承载高达150A的连续漏极电流,确保在高电压大电流应用中的稳定运行。其独特的低导通电阻(RD(on))仅为2mΩ,助力降低功耗、提升整体能效,广泛适用于电源转换、电机驱动等高功率场合,是实现高效、节能电路设计的理想选择。。你可以下载 CSD16403Q5A-HXY 中文资料、引脚图、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有 MOSFETs 详细引脚图及功能的应用电路图电压和使用方法及教程



手机版: CSD16403Q5A-HXY

Copyright ©2012-2025 hqchip.com.All Rights Reserved 粤ICP备14022951号工商网监认证 工商网监 营业执照