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MOSFETs HXY CSD16325Q5-HXY
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产品分类 | ||
封装/外壳 | DFN-8L(5x6) | |
漏源电压(Vdss) | 30V | |
连续漏极电流 | 150A | |
类型 | 1个N沟道 | |
极性 | 1个N沟道 | |
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商品介绍
CSD16325Q5 是一款N沟道MOS管，采用小型化DFN5X6-8L封装，专为现代紧凑型电子设备设计。该器件可在30V的最大漏源电压(VDSS)下工作，提供高达150A的连续漏极电流(ID)，展现卓越的电流处理能力。其亮点在于仅2mΩ的超低导通电阻(RD(on))，有效降低功耗并提升电路效率，适用于电源转换、电机驱动、电池管理系统等高功率应用场景，是实现高效能电路设计的理想半导体组件。
标准包装
标准包装是从制造商/代理商处获得的最小包装规格。所以最小订货量可能会小于制造商的标准包装的数量。当产品分解成较小数量时，包装类型（即卷、管、盘）可能会发生变化，以实际包装交货为准。
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CSD16325Q5-HXY 由 HXY 设计生产,在 华秋商城 现货销售,并且可以通过 等渠道进行代购。 CSD16325Q5-HXY 价格参考￥ 。 HXY CSD16325Q5-HXY 封装/规格： DFN-8L(5x6), CSD16325Q5 是一款N沟道MOS管，采用小型化DFN5X6-8L封装，专为现代紧凑型电子设备设计。该器件可在30V的最大漏源电压(VDSS)下工作，提供高达150A的连续漏极电流(ID)，展现卓越的电流处理能力。其亮点在于仅2mΩ的超低导通电阻(RD(on))，有效降低功耗并提升电路效率，适用于电源转换、电机驱动、电池管理系统等高功率应用场景，是实现高效能电路设计的理想半导体组件。。你可以下载 CSD16325Q5-HXY 中文资料、引脚图、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有 MOSFETs 详细引脚图及功能的应用电路图电压和使用方法及教程
手机版： CSD16325Q5-HXY
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