• 品       牌：HXY(华轩阳)
• 型       号： CSD16321Q5-HXY
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• 商品编号： G12357790
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• 封装规格： DFN-8L(5x6)
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• 商品描述： CSD16321Q5 N沟道MOS管采用先进DFN5X6-8L封装技术，体积精巧，性能强大。此器件承载电压高达30V，最大连续漏极电流可达150A，确保在高压大电流环境下稳定运行。其优异的导通电阻仅有2mΩ，有助于降低功耗、提升系统效能，特别适合应用于电源转换、电机驱动、电池管理系统等场合，是您实现高效节能电路设计的理想伙伴。 CSD16321Q5 N沟道MOS管采用先进DFN5X6-8L封装技术，体积精巧，性能强大。此器件承载电压高达30V，最大连续漏极电流可达150A，确保在高压大电流环境下稳定运行。其优异的导通电阻仅有2mΩ，有助于降低功耗、提升系统效能，特别适合应用于电源转换、电机驱动、电池管理系统等场合，是您实现高效节能电路设计的理想伙伴。