• 品       牌：HXY(华轩阳)
• 型       号：MCH3376-HXY
• 商品编号：DS39728585
• 封装规格：SOT-323
• 商品描述： MCH3376 是一款高效P沟道MOSFET，采用小型SOT-323封装，专为高密度电路设计。器件提供20V的最大漏源电压(VDSS)，可承载1.8A的连续漏极电流(ID)，并具有120mΩ的导通电阻(RD(on))，确保在低功耗下保持良好的电能转换效率。广泛应用于电源管理、负载开关、逻辑电路反转等领域，是小型化、节能型电子设备的理想半导体组件。 MCH3376 是一款高效P沟道MOSFET，采用小型SOT-323封装，专为高密度电路设计。器件提供20V的最大漏源电压(VDSS)，可承载1.8A的连续漏极电流(ID)，并具有120mΩ的导通电阻(RD(on))，确保在低功耗下保持良好的电能转换效率。广泛应用于电源管理、负载开关、逻辑电路反转等领域，是小型化、节能型电子设备的理想半导体组件。
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