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MOSFETs HXY NTD4860N-HXY
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产品分类 | ||
封装/外壳 | TO-252(DPAK) | |
漏源电压(Vdss) | 30V | |
连续漏极电流 | 80A | |
类型 | 1个N沟道 | |
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商品介绍
NTD4860N 是一款高性能N沟道MOS管，采用TO-252-2L封装形式，专为应对高功率、大电流应用设计。该器件提供30V的最大漏源电压VDSS，并能承载高达80A的连续漏极电流ID，确保在严苛工作条件下也能维持稳定性能。其特色在于超低的导通电阻RD(on)，仅为5.5mΩ，从而显著降低系统损耗，提升整体效率。非常适合应用于电源转换、电机驱动等领域，以卓越的电气性能满足客户对高效率、大电流半导体元件的需求。
标准包装
标准包装是从制造商/代理商处获得的最小包装规格。所以最小订货量可能会小于制造商的标准包装的数量。当产品分解成较小数量时，包装类型（即卷、管、盘）可能会发生变化，以实际包装交货为准。
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NTD4860N-HXY 由 HXY 设计生产,在 华秋商城 现货销售,并且可以通过 等渠道进行代购。 NTD4860N-HXY 价格参考￥ 。 HXY NTD4860N-HXY 封装/规格： TO-252(DPAK), NTD4860N 是一款高性能N沟道MOS管，采用TO-252-2L封装形式，专为应对高功率、大电流应用设计。该器件提供30V的最大漏源电压VDSS，并能承载高达80A的连续漏极电流ID，确保在严苛工作条件下也能维持稳定性能。其特色在于超低的导通电阻RD(on)，仅为5.5mΩ，从而显著降低系统损耗，提升整体效率。非常适合应用于电源转换、电机驱动等领域，以卓越的电气性能满足客户对高效率、大电流半导体元件的需求。。你可以下载 NTD4860N-HXY 中文资料、引脚图、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有 MOSFETs 详细引脚图及功能的应用电路图电压和使用方法及教程
手机版： NTD4860N-HXY
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