图像仅供参考，请参阅产品规格书

MOSFETs HXY DMN2019UTS-HXY

交货地：

库存：

数量：

X0（单价）

总价：

品牌：HXY(华轩阳)
型号：DMN2019UTS-HXY
商品编号：DS39728425
封装规格：TSSOP-8
商品描述： DMN2019UTS 是一款高品质N+N沟道MOSFET，采用节省空间的TSSOP-8封装，专为现代电子设备的小型化设计。其核心技术参数包括最大漏源电压VDSS为20V，能承载高达7.5A的连续漏极电流ID，且具有出色的导通性能，导通电阻低至11.5mR，确保在运行期间减小功耗，提升整体能效。广泛应用在电源转换、电机驱动、负载开关以及各类中低电压、中等电流的电路设计中，表现出色。
技术文档
数据手册

商品详情
技术文档
相关问答

热销型号1 / 3

图片	型号/品牌	描述	技术文档	库存	参考价格	对比	操作
	型号：DMN2019UTS-HXY 品牌：HXY(华轩阳)	MOSFETs MOSFETs HXY DMN2019UTS-HXY MOSFETs HXY DMN2019UTS-HXY	数据手册	（起订）	---	当前型号	询价

型号推荐
最新产品推荐
品牌分类

DMN2019UTS-HXY 由 HXY 设计生产,在华秋商城现货销售,并且可以通过等渠道进行代购。 DMN2019UTS-HXY 价格参考￥。 HXY DMN2019UTS-HXY 封装/规格： TSSOP-8, DMN2019UTS 是一款高品质N+N沟道MOSFET，采用节省空间的TSSOP-8封装，专为现代电子设备的小型化设计。其核心技术参数包括最大漏源电压VDSS为20V，能承载高达7.5A的连续漏极电流ID，且具有出色的导通性能，导通电阻低至11.5mR，确保在运行期间减小功耗，提升整体能效。广泛应用在电源转换、电机驱动、负载开关以及各类中低电压、中等电流的电路设计中，表现出色。。你可以下载 DMN2019UTS-HXY 中文资料、引脚图、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有 MOSFETs 详细引脚图及功能的应用电路图电压和使用方法及教程

手机版： DMN2019UTS-HXY