alternative text

图像仅供参考,请参阅产品规格书

  • https://www.hqchip.com/Public/img/nob.png

MOSFETs HXY PSMN4R3-30BL-HXY

  • 品       牌:HXY(华轩阳)
  • 型       号: PSMN4R3-30BL-HXY
    点击复制
  • 商品编号: G12356915
    点击复制
  • 封装规格: TO-252(DPAK)
    点击复制
  • 商品描述: 此款MOS管型号为PSMN4R3-30BL ,采用高效能的N沟道设计,封装形式为紧凑型TO-252-2L,适合各类电路板空间需求。其核心参数出色,额定电压VDSS高达30V,连续电流ID可达100A,确保稳定工作流。尤为突出的是,其导通电阻仅为3.8mΩ,有效降低功耗并提升系统效率,是电源转换、电机驱动等应用的理想选择。

  • 商品详情
  • 技术文档
  • 相关问答
热销型号1 / 3

替代参考( 推荐替代型号供参考,请核对商品参数后再下单 )

图片 型号/品牌 描述 技术文档 库存 参考价格 对比 操作
型号:PSMN4R3-30BL-HXY
MOSFETs
MOSFETs HXY PSMN4R3-30BL-HXY
数据手册 (起订)
---
当前型号询价
  • 型号推荐
  • 最新产品推荐
  • 品牌分类

PSMN4R3-30BL-HXYHXY 设计生产,在 华秋商城 现货销售,并且可以通过 等渠道进行代购。 PSMN4R3-30BL-HXY 价格参考¥ 。 HXY PSMN4R3-30BL-HXY 封装/规格: TO-252(DPAK), 此款MOS管型号为PSMN4R3-30BL ,采用高效能的N沟道设计,封装形式为紧凑型TO-252-2L,适合各类电路板空间需求。其核心参数出色,额定电压VDSS高达30V,连续电流ID可达100A,确保稳定工作流。尤为突出的是,其导通电阻仅为3.8mΩ,有效降低功耗并提升系统效率,是电源转换、电机驱动等应用的理想选择。。你可以下载 PSMN4R3-30BL-HXY 中文资料、引脚图、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有 MOSFETs 详细引脚图及功能的应用电路图电压和使用方法及教程



手机版: PSMN4R3-30BL-HXY

Copyright ©2012-2025 hqchip.com.All Rights Reserved 粤ICP备14022951号工商网监认证 工商网监 营业执照