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MOSFETs HXY IRFHM8329PBF-HXY

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品牌：HXY(华轩阳)
型号：IRFHM8329PBF-HXY
商品编号：DS39728402
封装规格：DFN-8L(3x3)
商品描述： IRFHM8329PbF MOS管采用先进的DFN3X3-8L封装技术，是一款高效的N沟道MOSFET器件。其特性包括30V的最大漏源电压VDSS，以及强大的80A连续电流ID承载能力，展现了出色的电力控制性能。此外，该器件具有的超低导通电阻RD(on)仅4.7mR，旨在大幅度降低能耗，提升系统能效，尤其适用于对功率密度和效率有较高要求的开关电源、马达驱动、电池管理系统等领域，为您的高端电子设计提供坚实保障。
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	型号：IRFHM8329PBF-HXY 品牌：HXY(华轩阳)	MOSFETs MOSFETs HXY IRFHM8329PBF-HXY MOSFETs HXY IRFHM8329PBF-HXY	数据手册	（起订）	---	当前型号	询价

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IRFHM8329PBF-HXY 由 HXY 设计生产,在华秋商城现货销售,并且可以通过等渠道进行代购。 IRFHM8329PBF-HXY 价格参考￥。 HXY IRFHM8329PBF-HXY 封装/规格： DFN-8L(3x3), IRFHM8329PbF MOS管采用先进的DFN3X3-8L封装技术，是一款高效的N沟道MOSFET器件。其特性包括30V的最大漏源电压VDSS，以及强大的80A连续电流ID承载能力，展现了出色的电力控制性能。此外，该器件具有的超低导通电阻RD(on)仅4.7mR，旨在大幅度降低能耗，提升系统能效，尤其适用于对功率密度和效率有较高要求的开关电源、马达驱动、电池管理系统等领域，为您的高端电子设计提供坚实保障。。你可以下载 IRFHM8329PBF-HXY 中文资料、引脚图、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有 MOSFETs 详细引脚图及功能的应用电路图电压和使用方法及教程

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