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MOSFETs HXY IPD050N03LG-HXY

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品牌：HXY(华轩阳)
型号：IPD050N03LG-HXY
商品编号：DS39728390
封装规格：TO-252-2L
商品描述： IPD050N03LG 是一款N沟道MOSFET，采用TO-252-2L封装，专为高功率、大电流应用设计。该器件具有30V的漏源电压(VDSS)，在3.8mR的超低导通电阻(RD(on))下，能够承载高达100A的漏极电流(ID)。广泛应用于开关电源、电机驱动、快速充电器等领域，凭借其出色的电流处理能力和高能效表现，成为提升系统性能、降低能耗的理想半导体元件。
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	型号：IPD050N03LG-HXY 品牌：HXY(华轩阳)	MOSFETs MOSFETs HXY IPD050N03LG-HXY MOSFETs HXY IPD050N03LG-HXY	数据手册	（起订）	---	当前型号	询价

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IPD050N03LG-HXY 由 HXY 设计生产,在华秋商城现货销售,并且可以通过等渠道进行代购。 IPD050N03LG-HXY 价格参考￥。 HXY IPD050N03LG-HXY 封装/规格： TO-252-2L, IPD050N03LG 是一款N沟道MOSFET，采用TO-252-2L封装，专为高功率、大电流应用设计。该器件具有30V的漏源电压(VDSS)，在3.8mR的超低导通电阻(RD(on))下，能够承载高达100A的漏极电流(ID)。广泛应用于开关电源、电机驱动、快速充电器等领域，凭借其出色的电流处理能力和高能效表现，成为提升系统性能、降低能耗的理想半导体元件。。你可以下载 IPD050N03LG-HXY 中文资料、引脚图、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有 MOSFETs 详细引脚图及功能的应用电路图电压和使用方法及教程

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