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MOSFETs HXY IRF9321PBF-HXY
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产品分类 | ||
封装/外壳 | SOP-8 | |
漏源电压(Vdss) | 30V | |
连续漏极电流 | 18A | |
类型 | 1个P沟道 | |
极性 | 1个P沟道 | |
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商品介绍
IRF9321PbF 是一款P沟道MOSFET，采用SOP-8封装，专为高电流应用设计。该器件具有30V的最大漏源电压(VDSS)，能够承载高达18A的连续漏极电流，彰显出卓越的电流处理能力。其独特优势在于7.5mΩ的超低导通电阻(RD(on))，在确保高功率运作的同时有效提高系统能效，降低损耗。广泛应用在电源转换、电机驱动、快速开关电路等领域，是追求高性能、低功耗的理想半导体器件。
标准包装
标准包装是从制造商/代理商处获得的最小包装规格。所以最小订货量可能会小于制造商的标准包装的数量。当产品分解成较小数量时，包装类型（即卷、管、盘）可能会发生变化，以实际包装交货为准。
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IRF9321PBF-HXY 由 HXY 设计生产,在 华秋商城 现货销售,并且可以通过 等渠道进行代购。 IRF9321PBF-HXY 价格参考￥ 。 HXY IRF9321PBF-HXY 封装/规格： SOP-8, IRF9321PbF 是一款P沟道MOSFET，采用SOP-8封装，专为高电流应用设计。该器件具有30V的最大漏源电压(VDSS)，能够承载高达18A的连续漏极电流，彰显出卓越的电流处理能力。其独特优势在于7.5mΩ的超低导通电阻(RD(on))，在确保高功率运作的同时有效提高系统能效，降低损耗。广泛应用在电源转换、电机驱动、快速开关电路等领域，是追求高性能、低功耗的理想半导体器件。。你可以下载 IRF9321PBF-HXY 中文资料、引脚图、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有 MOSFETs 详细引脚图及功能的应用电路图电压和使用方法及教程
手机版： IRF9321PBF-HXY
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