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MOSFETs HXY IPD30N06S2L-23-HXY

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品牌：HXY(华轩阳)
型号：IPD30N06S2L-23-HXY
商品编号：DS39728372
封装规格：TO-252-2L
商品描述： IPD30N06S2L-23 是一款高功率N沟道MOSFET，封装类型为TO-252-2L，专为高密度电源应用设计。该器件提供60V的最大漏源电压(VDSS)，并能在满载下处理50A的强大连续电流(ID)，且拥有优秀的导通特性，导通电阻仅为15mR(RD(on))，从而大大减少了功率损耗，提高了系统效率。广泛应用于开关电源、电池管理系统、电机驱动等对效率要求较高的场合。
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	型号：IPD30N06S2L-23-HXY 品牌：HXY(华轩阳)	MOSFETs MOSFETs HXY IPD30N06S2L-23-HXY MOSFETs HXY IPD30N06S2L-23-HXY	数据手册	（起订）	---	当前型号	询价

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IPD30N06S2L-23-HXY 由 HXY 设计生产,在华秋商城现货销售,并且可以通过等渠道进行代购。 IPD30N06S2L-23-HXY 价格参考￥。 HXY IPD30N06S2L-23-HXY 封装/规格： TO-252-2L, IPD30N06S2L-23 是一款高功率N沟道MOSFET，封装类型为TO-252-2L，专为高密度电源应用设计。该器件提供60V的最大漏源电压(VDSS)，并能在满载下处理50A的强大连续电流(ID)，且拥有优秀的导通特性，导通电阻仅为15mR(RD(on))，从而大大减少了功率损耗，提高了系统效率。广泛应用于开关电源、电池管理系统、电机驱动等对效率要求较高的场合。。你可以下载 IPD30N06S2L-23-HXY 中文资料、引脚图、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有 MOSFETs 详细引脚图及功能的应用电路图电压和使用方法及教程

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