图像仅供参考，请参阅产品规格书

MOSFETs HXY IPD30N10S3L34-HXY

交货地：

库存：

数量：

X0（单价）

总价：

品牌：HXY(华轩阳)
型号：IPD30N10S3L34-HXY
商品编号：DS39728335
封装规格：TO-252-2L
商品描述： IPD30N10S3L34 是一款高性能N沟道MOSFET，采用TO-252-2L封装，专为高功率、大电流应用定制。该器件可在100V的高电压下工作，提供30A的持续电流处理能力，特别适合于电源转换、电机驱动等严苛环境。其出色的35mΩ导通电阻特性大大降低了功率损耗，实现了卓越的系统能效。选择IPD30N10S3L34 MOS管，即为您的设计注入澎湃动力与高效节能的灵魂。
技术文档
数据手册

商品详情
技术文档
相关问答

热销型号1 / 3

图片	型号/品牌	描述	技术文档	库存	参考价格	对比	操作
	型号：IPD30N10S3L34-HXY 品牌：HXY(华轩阳)	MOSFETs MOSFETs HXY IPD30N10S3L34-HXY MOSFETs HXY IPD30N10S3L34-HXY	数据手册	（起订）	---	当前型号	询价

型号推荐
最新产品推荐
品牌分类

IPD30N10S3L34-HXY 由 HXY 设计生产,在华秋商城现货销售,并且可以通过等渠道进行代购。 IPD30N10S3L34-HXY 价格参考￥。 HXY IPD30N10S3L34-HXY 封装/规格： TO-252-2L, IPD30N10S3L34 是一款高性能N沟道MOSFET，采用TO-252-2L封装，专为高功率、大电流应用定制。该器件可在100V的高电压下工作，提供30A的持续电流处理能力，特别适合于电源转换、电机驱动等严苛环境。其出色的35mΩ导通电阻特性大大降低了功率损耗，实现了卓越的系统能效。选择IPD30N10S3L34 MOS管，即为您的设计注入澎湃动力与高效节能的灵魂。。你可以下载 IPD30N10S3L34-HXY 中文资料、引脚图、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有 MOSFETs 详细引脚图及功能的应用电路图电压和使用方法及教程

手机版： IPD30N10S3L34-HXY