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MOSFETs HXY AUIRFR1018E-HXY

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品牌：HXY(华轩阳)
型号：AUIRFR1018E-HXY
商品编号：DS39728268
封装规格：TO-252-2L
商品描述： AUIRFR1018E 是一款N沟道MOSFET，采用TO-252-2L封装，专为高功率、高效率应用设计。该器件提供60V的最大漏源电压(VDSS)，并能处理高达80A的连续漏极电流(ID)，展示出卓越的电力处理性能。其导通电阻(RD(on))仅为6.5mΩ，确保在大电流工作状态下仍然保持低损耗和高效率。广泛应用于电源转换、电机驱动、充电桩等领域，是构建高性能、节能电路的理想半导体器件。
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	型号：AUIRFR1018E-HXY 品牌：HXY(华轩阳)	MOSFETs MOSFETs HXY AUIRFR1018E-HXY MOSFETs HXY AUIRFR1018E-HXY	数据手册	（起订）	---	当前型号	询价

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AUIRFR1018E-HXY 由 HXY 设计生产,在华秋商城现货销售,并且可以通过等渠道进行代购。 AUIRFR1018E-HXY 价格参考￥。 HXY AUIRFR1018E-HXY 封装/规格： TO-252-2L, AUIRFR1018E 是一款N沟道MOSFET，采用TO-252-2L封装，专为高功率、高效率应用设计。该器件提供60V的最大漏源电压(VDSS)，并能处理高达80A的连续漏极电流(ID)，展示出卓越的电力处理性能。其导通电阻(RD(on))仅为6.5mΩ，确保在大电流工作状态下仍然保持低损耗和高效率。广泛应用于电源转换、电机驱动、充电桩等领域，是构建高性能、节能电路的理想半导体器件。。你可以下载 AUIRFR1018E-HXY 中文资料、引脚图、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有 MOSFETs 详细引脚图及功能的应用电路图电压和使用方法及教程

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