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    MOSFETs HXY IRLR3636PBF-HXY

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    • 品       牌:HXY(华轩阳)
    • 型       号:IRLR3636PBF-HXY
    • 商品编号:DS39728264
    • 封装规格:TO-252-2L
    • 商品描述: IRLR3636PbF 是一款高端N沟道MOSFET,采用行业标准的TO-252-2L封装,旨在满足现代高效能电子设备的需求。该器件工作电压高达60V(VDSS),可承载持续的漏极电流达80A(ID),且在导通状态下展现卓越的低电阻特性,仅6.5mΩ(RD(on)),有效降低了功率损耗,提升了系统效能。凭借其强大稳定性和广泛的适用范围,IRLR3636PbF 非常适合应用于开关电源、马达驱动、电池保护等领域,是打造高性能、低能耗电子系统的优选组件。
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    型号:IRLR3636PBF-HXY
    MOSFETs
    MOSFETs HXY IRLR3636PBF-HXY
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    IRLR3636PBF-HXYHXY 设计生产,在 华秋商城 现货销售,并且可以通过 等渠道进行代购。 IRLR3636PBF-HXY 价格参考¥ 。 HXY IRLR3636PBF-HXY 封装/规格: TO-252-2L, IRLR3636PbF 是一款高端N沟道MOSFET,采用行业标准的TO-252-2L封装,旨在满足现代高效能电子设备的需求。该器件工作电压高达60V(VDSS),可承载持续的漏极电流达80A(ID),且在导通状态下展现卓越的低电阻特性,仅6.5mΩ(RD(on)),有效降低了功率损耗,提升了系统效能。凭借其强大稳定性和广泛的适用范围,IRLR3636PbF 非常适合应用于开关电源、马达驱动、电池保护等领域,是打造高性能、低能耗电子系统的优选组件。。你可以下载 IRLR3636PBF-HXY 中文资料、引脚图、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有 MOSFETs 详细引脚图及功能的应用电路图电压和使用方法及教程



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