• 品       牌：HXY(华轩阳)
• 型       号：AO3409-HXY
• 商品编号：DS39728263
• 封装规格：SOT-23-3L
• 商品描述： AO3409 是一款高性能P沟道MOSFET，采用小型化SOT-23-3L封装，专为高集成度和节能电子设计。该器件提供30V的最大漏源电压(VDSS)，能够承载4.2A的连续漏极电流(ID)，并具有出色的45mΩ导通电阻(RD(on))，确保在低功耗下仍能保持高效的电能转换效率。广泛应用于电源转换、负载开关、电池管理系统等场景，是小型化、高性能电子设备的优选半导体元件。 AO3409 是一款高性能P沟道MOSFET，采用小型化SOT-23-3L封装，专为高集成度和节能电子设计。该器件提供30V的最大漏源电压(VDSS)，能够承载4.2A的连续漏极电流(ID)，并具有出色的45mΩ导通电阻(RD(on))，确保在低功耗下仍能保持高效的电能转换效率。广泛应用于电源转换、负载开关、电池管理系统等场景，是小型化、高性能电子设备的优选半导体元件。
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