• 品       牌：HXY(华轩阳)
• 型       号： FDS6673BZ-HXY
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• 商品编号： G12356287
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• 封装规格： SOP-8
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• 商品描述： FDS6673BZ 是一款P沟道MOSFET，采用SOP-8封装，专为高效能、低损耗的大电流应用设计。器件具有30V的最大漏源电压(VDSS)，并能承载高达18A的连续漏极电流，确保卓越的电力传输性能。其7.5mΩ的超低导通电阻(RD(on))显著提升了系统能效，降低了运行损耗。广泛应用于电源转换、电机驱动、开关电源控制器等领域，是高要求电子设计的理想半导体元件。 FDS6673BZ 是一款P沟道MOSFET，采用SOP-8封装，专为高效能、低损耗的大电流应用设计。器件具有30V的最大漏源电压(VDSS)，并能承载高达18A的连续漏极电流，确保卓越的电力传输性能。其7.5mΩ的超低导通电阻(RD(on))显著提升了系统能效，降低了运行损耗。广泛应用于电源转换、电机驱动、开关电源控制器等领域，是高要求电子设计的理想半导体元件。