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MOSFETs HXY FDD6612A-HXY
- 品 牌：HXY(华轩阳)
- 型 号： FDD6612A-HXY
点击复制 - 商品编号： G12356297
点击复制 - 封装规格： TO-252(DPAK)
点击复制 - 商品描述： FDD6612A 是一款高性能N沟道MOSFET，采用TO-252-2L封装技术，专为处理大电流和高功率应用设计。该器件具有30V的最大漏源电压(VDSS)，并能承载高达20A的连续漏极电流，确保卓越的电力传输性能。其导通电阻RD(on)仅为15mΩ，极大地提高了能源效率，降低了系统损耗。广泛应用在电源转换、电机驱动、大电流开关控制等场合，是追求高效率、大电流应用的优质半导体元件选择。
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FDD6612A-HXY 由 HXY 设计生产,在 华秋商城 现货销售,并且可以通过 等渠道进行代购。 FDD6612A-HXY 价格参考￥ 。 HXY FDD6612A-HXY 封装/规格： TO-252(DPAK), FDD6612A 是一款高性能N沟道MOSFET，采用TO-252-2L封装技术，专为处理大电流和高功率应用设计。该器件具有30V的最大漏源电压(VDSS)，并能承载高达20A的连续漏极电流，确保卓越的电力传输性能。其导通电阻RD(on)仅为15mΩ，极大地提高了能源效率，降低了系统损耗。广泛应用在电源转换、电机驱动、大电流开关控制等场合，是追求高效率、大电流应用的优质半导体元件选择。。你可以下载 FDD6612A-HXY 中文资料、引脚图、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有 MOSFETs 详细引脚图及功能的应用电路图电压和使用方法及教程
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