图像仅供参考，请参阅产品规格书

MOSFETs HXY RTR025P02FRA-HXY

交货地：

库存：

数量：

X0（单价）

总价：

品牌：HXY(华轩阳)
型号：RTR025P02FRA-HXY
商品编号：DS39728207
封装规格：SOT-23-3L
商品描述： RTR025P02FRA 是一款P沟道MOSFET，采用微型SOT-23-3L封装，适用于空间受限和高集成度的电路设计。器件特性包括最大漏源电压(VDSS)为20V，可稳定提供4.1A的漏极电流(ID)，且导通电阻(RD(on))低至34mR，确保在低电压应用环境下也能实现高效能和低功耗。这款MOS管广泛应用于电源转换、负载开关控制、低压电子设备中，是优化系统性能的理想半导体元件。
技术文档
数据手册

商品详情
技术文档
相关问答

热销型号1 / 3

图片	型号/品牌	描述	技术文档	库存	参考价格	对比	操作
	型号：RTR025P02FRA-HXY 品牌：HXY(华轩阳)	MOSFETs MOSFETs HXY RTR025P02FRA-HXY MOSFETs HXY RTR025P02FRA-HXY	数据手册	（起订）	---	当前型号	询价

型号推荐
最新产品推荐
品牌分类

RTR025P02FRA-HXY 由 HXY 设计生产,在华秋商城现货销售,并且可以通过等渠道进行代购。 RTR025P02FRA-HXY 价格参考￥。 HXY RTR025P02FRA-HXY 封装/规格： SOT-23-3L, RTR025P02FRA 是一款P沟道MOSFET，采用微型SOT-23-3L封装，适用于空间受限和高集成度的电路设计。器件特性包括最大漏源电压(VDSS)为20V，可稳定提供4.1A的漏极电流(ID)，且导通电阻(RD(on))低至34mR，确保在低电压应用环境下也能实现高效能和低功耗。这款MOS管广泛应用于电源转换、负载开关控制、低压电子设备中，是优化系统性能的理想半导体元件。。你可以下载 RTR025P02FRA-HXY 中文资料、引脚图、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有 MOSFETs 详细引脚图及功能的应用电路图电压和使用方法及教程

手机版： RTR025P02FRA-HXY