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MOSFETs HXY PMV40UN2R-HXY

  • 品       牌:HXY(华轩阳)
  • 型       号: PMV40UN2R-HXY
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  • 商品编号: G12355630
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  • 封装规格: SOT-23
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  • 商品描述: PMV40UN2R N沟道MOS管采用节省空间的SOT-23封装,专为优化电路布局而设计。器件支持最大30V的漏源极电压(VDSS),具备5A的强大连续漏极电流(ID)处理能力,适用于多种中高功率应用场合。其亮点在于拥有33mΩ的低导通电阻(RD(on)),显著降低功耗,提升能效表现。这款MOS管广泛应用在电源管理、电池保护、以及其他需要高效能、小体积半导体解决方案的领域。

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型号:PMV40UN2R-HXY
MOSFETs
MOSFETs HXY PMV40UN2R-HXY
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PMV40UN2R-HXYHXY 设计生产,在 华秋商城 现货销售,并且可以通过 等渠道进行代购。 PMV40UN2R-HXY 价格参考¥ 。 HXY PMV40UN2R-HXY 封装/规格: SOT-23, PMV40UN2R N沟道MOS管采用节省空间的SOT-23封装,专为优化电路布局而设计。器件支持最大30V的漏源极电压(VDSS),具备5A的强大连续漏极电流(ID)处理能力,适用于多种中高功率应用场合。其亮点在于拥有33mΩ的低导通电阻(RD(on)),显著降低功耗,提升能效表现。这款MOS管广泛应用在电源管理、电池保护、以及其他需要高效能、小体积半导体解决方案的领域。。你可以下载 PMV40UN2R-HXY 中文资料、引脚图、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有 MOSFETs 详细引脚图及功能的应用电路图电压和使用方法及教程



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